İki Bileşenli ZnCdO Fotodiyotların Üretilmesi ve Elektriksel Karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, ZnO:CdO'nun molar oranı ile foto kaynaklı yük üretimi arasındaki ilişki detaylı olarak ele alınmıştır. İki yarıiletkenin farklı molar oranıyla elde edilen ince filmlerin optik özellikleri, Absorbans, Geçirgenlik ve Yansıma ölçümleri kullanılarak analitik olarak incelenmiştir. Al / ZnO-CdO / p-Si / Al diyotlarının elektriksel özelliklerini araştırmak için Akım-Voltaj (I-V), Fotoakım-Zaman (I-t) ve Kapasitans-Zaman (C-t) teknikleri kullanılmıştır. Sonuçlar, 5/0, 4/1 ve 3/2 mol ZnO:CdO oranına sahip olan kompozitlerin, foto kaynaklı şarj aktivitesini gösterdiğini ortaya koymaktadır. Sonuçlar ayrıca diyotların elektronik parametrelerinin, ZnO:CdO değerinin molar oranına bağlı olduğunu göstermektedir.

The molar ratio of ZnO:CdO has an important effect on the photo-induced charge activities of the composite/n-Si structures constructed. Thus, the relationship between the molar ratio of ZnO:CdO and the photo-induced charge generation was revealed in detail. The optical characteristics of thin films obtained by different molar ratio of two semiconductors were studied analytically by using absorbance, transmittance and reflectance measurements. The current-voltage (I-V), transient photocurrent (I-t) and transient photocapacitance (C-t) techniques were used to investigate the photoresponse properties of Al/ZnO:CdO/p-Si/Al diodes. The results reveal that the composites with 5/0, 4/1 and 3/2 molar ratio of ZnO:CdO display the photo-induced charge activity, the results further manifest that the electronic parameters of the diodes depend on the molar ratio of ZnO:CdO.