Ara
Toplam kayıt 6, listelenen: 1-6
Fe Katkılı TiO2 İnce Filmlerin Üretimi ve Optik Özellikleri
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-01-10)
"Bu çalışmada katkısız TiO2 ve farklı oranlarda Fe katkılı (%1, %5, %10) TiO2 ince filmler Sol-jel tekniğiyle Silisyum (Si) alttaşlar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Elde edilen TiO2 ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ...
ZnO:TiO2 Nanokompozit Malzeme Esaslı Fotosensörlerin Üretilmesi ve Fotoiletkenlik Özelliklerinin Araştırılması
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-12-24)
Bu çalışmada 1:5 ve 1:2 oranlarda ZnO:TiO2 çözeltileri Sol-jel yöntemi ile üretildi. Üretilen TiO2 ve ZnO:TiO2 çözeltileri Silisyum alttaş üzerine damlatıldı ve spin kaplama yöntemi ile Silisyum alttaş üzerine kaplandı. ...
Structural, electrical and optical characterization of Mn doped CdO photodiodes
(Elsevier, 2020)
Undoped CdO, 0.2% Mn doped CdO, 6% Mn doped CdO and 10% Mn doped CdO photodiodes were prepared using sol-gel method and deposited on Si substrate at room temperature. Electrical and optical properties of the diodes were ...
Structural and optoelectronic characterization of Cu 2 CoSnS 4 quaternary functional photodetectors
(Elsevier Gmbh, 2020)
[Abstract Not Available]
Evaluation of electronic transport and optical response of two-dimensional Fe-doped TiO2 thin films for photodetector applications
(Elsevier Gmbh, 2020)
We have carried out the structural, electronic and optical properties of Iron (Fe)-doped TiO2 thin films by sol-gel technique. The results reveal that the thin films form in a granular structure where particle-like grains ...
INFRARED DETECTING BEHAVIOURS OF Cu2NiSnS4 PHOTODIODES
(Kırklareli Üniversitesi, 2020)
A photodetector in Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al form was produced using sol-gel method. Scanning electron microscopy (SEM) was used in the structural assessment of the photodetectors. Microscopic investigations showed that Cu2NiSnS4 ...